Samsung entwickelt neuen Low-Power-DRAM

Laut Extremetech schlägt Samsung vor, den neuen DRAM hauptsächlich in auf großen Sprachmodellen (LLM) basierenden Systemen künstlicher Intelligenz einzusetzen, obwohl der Speicher auch für andere Arbeitslasten geeignet ist.

Wird die LLW-DRAM-Speichertechnologie in Smartphones, Laptops oder selbstfahrenden Autos zum Einsatz kommen?

LLW DRAM ist ein Low-Power-Speicher mit hoher I/O-Kapazität, geringer Latenz und einer Bandbreite von 128 GB/s pro Modul. Dies ist vergleichbar mit der Kombination aus DDR5-8000-Speicher und einem 128-Bit-Bus. Ein Hauptmerkmal von LLW DRAM ist der geringe Stromverbrauch von 1,2 pJ/Bit. Das Unternehmen gab jedoch nicht bekannt, bei welcher Datenübertragungsrate dieser Wert gemessen wurde.

Samsung hat noch keine spezifischen technischen Details zu LLW-DRAM bekannt gegeben, aber da das Unternehmen bereits seit einiger Zeit Wide-Interface-Speicher wie GDDR6W entwickelt, ist es möglich, dass Samsung die Kapazität mehrerer dieser DRAM-Module mithilfe der FOWLP-Technologie (Fan-Out Wafer-Level Packaging) in einem einzigen Paket kombiniert, um die Schnittstellenbandbreite zu erhöhen und den Stromverbrauch zu senken.

Samsung hat den GDDR6W-Speicher im zweiten Quartal 2022 standardisiert und plant, ihn in KI-Systemen oder Hochleistungsrechnersystemen (HPC) einzusetzen. Daher ist es wahrscheinlich, dass LLW-DRAM in Edge-Computing-Geräten für KI-Systeme wie Smartphones, Laptops und sogar selbstfahrenden Autosystemen verwendet wird.

Samsung gibt selten bekannt, wann seine vielversprechenden Technologien auf den Markt kommen. Daher ist unklar, wann LLW-DRAM in echten Geräten verfügbar sein wird. Da Samsung jedoch Details zur erwarteten Leistung der Technologie veröffentlicht hat, könnte die Entwicklung von LLW-DRAM nahezu abgeschlossen sein.

Quellenlink: https://thanhnien.vn/samsung-phat-trien-dram-moi-tieu-thu-dien-nang-thap-185240112142731563.htm