Gizmochinaによると、SMICはスマートフォン用チップの製造に使用可能な第2世代7nmチップ技術を開発したとのことです。同社はこれに留まらず、現在5nmおよび3nmチップ製造技術の研究を進めています。
SMICは、DUVマシンで3nmチップを生産することで飛躍的な進歩を目指しています。
この研究は同社の研究開発チームによって社内で行われており、共同CEOのリアン・モンソン氏が主導している。同氏はTSMCやサムスンで勤務した経歴を持ち、半導体業界で最も優秀な頭脳の1人とみなされている著名な半導体科学者である。
つまり、現在の制約は、SMICの7nmより高度なチップ開発の進歩を完全に阻止することはできないということです。SMICは様々な要因の組み合わせによってこれらの課題を克服してきましたが、現状の制約は単に同社の進歩を遅らせるだけです。
現在、業界第5位の受託半導体メーカーであるSMICは、最先端のウェハ製造装置へのアクセスを失い、新たなプロセス技術の導入が著しく制限されています。具体的には、米国の制裁措置により、ASMLから極端紫外線（EUV）リソグラフィー装置を入手できず、第2世代7nmチップ製造プロセスでは深紫外線（DUV）リソグラフィーのみを採用しています。
ASML Twinscan NXT:2000iリソグラフィー装置は、SMICのこれまでで最高の装置です。最大38nmの製造解像度でエッチングが可能で、7nmチップのパターン形成に十分な精度です。ASMLとIMECによると、5nmと3nmチップの製造には、それぞれ30～32nmと21～25nmの製造解像度が必要になります。
SMICは、EUVを使用せずに7nm未満のチップ生産を実現するために、複雑なマルチパターニングプロセスを採用する必要があり、歩留まりへの影響や製造装置の消耗を招く可能性があります。また、複数のパターンを使用するコストも非常に高くなります。しかし、SMICは3nmチップ生産への移行を決意しています。もし成功すれば、DUVのみを使用した3nmチップ生産は、この中国メーカーにとって重要なマイルストーンとなるでしょう。
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