サムスン、12nm DDR5 DRAMの量産を開始

Devdiscourseによると、同社の新型DRAMは、より高性能な人工知能アプリケーションをターゲットとしている。サムスンによると、最新の12nm DDR5 DRAMは、消費電力を最大23%削減し、ウェハ歩留まりを最大20%向上させるなど、前世代に比べて大きな利点を備えており、サーバーやデータセンターのエネルギー使用量を最小限に抑え、二酸化炭素排出量を削減したいと考えているグローバルIT企業にとって最適な選択肢となるという。

12nm DDR5 DRAMは優れたメリットをもたらすと期待される

12nmテクノロジーの開発は、セル容量を増加させる新材料の採用によって可能になりました。これにより、データ信号間の電圧差が顕著になり、正確な識別が容易になります。さらに、ノイズと動作電圧の低減に向けた同社の取り組みは、サーバー顧客にとって理想的なソリューションを提供します。

サムスンDRAM製品担当執行副社長のイ・ジュヨン氏は、この新しいDRAMは、大規模処理に対するコンピューティング市場のニーズを満たす高性能・大容量製品だけでなく、より高い歩留まりをサポートする次世代ソリューションの商品化によっても、DRAM市場をリードするという同社の継続的な取り組みを反映していると語った。

Samsungの12nm DDR5 DRAMラインは、7.2Gbpsという驚異的なピーク速度を実現し、30GBのUHDムービーをわずか1秒で処理できます。この驚異的な速度により、データセンター、人工知能、次世代コンピューティングなど、幅広いアプリケーションに適しています。

ソースリンク: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm