Xatakaによると、Mate 60 Proの発売から約2か月が経過した現在、集積回路製造の専門家は、SMICのエンジニアがチップ開発にASMLのTwinScan NXT:2000i UVP液浸リソグラフィー装置とHuawei設計のツールを使用したことに同意している。極端紫外線リソグラフィー（EUV）リソグラフィーほど先進的ではないものの、製造プロセスが十分に洗練されていれば、UVP装置は5nmおよび7nmチップの製造に使用できる。
TwinScan NXT:2000i UVPから5nmチップを作成すること自体が技術的な偉業となるだろう
この発見に貢献した専門家の一人は、TSMCの副社長を務めていた電気技術者、バーンジェン・リン氏です。ブルームバーグとの最近のインタビューで、リン氏は、米国は中国の半導体製造技術の継続的な向上を阻止することはできないと述べました。実際、SMICはTwinScan NXT:2000i UVP装置を用いて5nmチップを製造しています。
TechInsightsは9月初旬、SMICのエンジニアがASMLのUVP装置を用いて7nmチップを製造できる統合技術をうまく改良できれば、5nmチップは確実に登場すると予測しました。当時、SMICがウェハ1枚あたりどれだけの性能を実現できるかという疑問が浮上しましたが、Huaweiの広告では、SMICがMate 60 Pro 7,000万台の需要を満たすのに十分なチップをリリースできると示されていました。
5nmチップの製造は7nmチップよりもはるかに複雑です。理論上はTwinScan NXT:2000iで実現可能ですが、SMICのエンジニアはリソグラフィープロセスの解像度を高めるためにウェハーへの切り替えが必要になります。SMICのエンジニアはKirin 9000Sの製造にこの技術を採用した可能性が高いですが、5nmチップを実現するには、はるかに複雑なパターンを使用する必要があります。
専門家によると、今後数ヶ月以内にSMIC製の5nmチップを搭載したHuaweiの新しいスマートフォンが発売されても不思議ではないとのことです。もしそうなれば、ASMLのUVP装置でそれを実現するのは不可能ではないにしても極めて困難であるため、まさに偉業と言えるでしょう。11月16日以降、米国はASMLによるTwinScan NXT:2000iの中国への供給を阻止するための制裁措置を延長しました。さらに、TwinScan NXT:1980Di装置も禁止リストに載っています。こうした状況下で中国がこれを克服する唯一の方法は、独自のEUV装置を設計・製造することです。中国は現在、独自のEUV装置を研究していますが、2020年代末まで実現する可能性は低いでしょう。
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