Xatakaによると、Mate 60 Proの発売から約2か月が経過した現在、集積回路製造の専門家は、SMICのエンジニアがチップ開発にASMLのTwinScan NXT:2000i UVP液浸リソグラフィー装置とHuawei設計のツールを使用したことに同意している。極端紫外線（EUV）リソグラフィーほど先進的ではないものの、製造プロセスが十分に洗練されていれば、UVP装置は5nmおよび7nmチップの製造に使用できる。
TwinScan NXT:2000i UVPから5nmチップを作成すること自体が技術的な偉業となるだろう
この事実を解明するのに貢献した専門家の一人は、TSMCの副社長を務めた電気技術者、バーン・ジェン・リン氏です。ブルームバーグとの最近のインタビューで、リン氏は、米国は中国の半導体製造技術の継続的な向上を阻止することはできないと述べました。実際、SMICはTwinScan NXT:2000i UVP装置を用いて5nmチップを製造しています。
TechInsightsは9月初旬、SMICのエンジニアがASMLのUVP装置を用いて7nmチップを製造できるよう統合プロセスを微調整できれば、5nmチップの実現が近いと予測しました。当時、SMICがウェーハ1枚あたりどれだけの性能を実現できるかという疑問が浮上しましたが、Huaweiの主張は、SMICが7,000万台のMate 60 Proの需要を満たすのに十分なチップを生産できる可能性を示唆していました。
5nmチップの製造は7nmチップよりもはるかに複雑です。理論上はTwinScan NXT:2000iで可能になりますが、SMICのエンジニアはリソグラフィープロセスの解像度を高めるためにウェハープロセスに切り替える必要があります。SMICのエンジニアはKirin 9000Sの製造にこの技術を採用した可能性が高いですが、5nmチップを実現するには、はるかに複雑なパターンを使用する必要があります。
専門家によると、SMICの5nmチップを搭載したHuaweiの新しいスマートフォンが今後数ヶ月以内に発売されても不思議ではないという。もしそうなれば、ASMLのUVPデバイスでそれを実現するのは不可能ではないにしても極めて困難であり、非常に大きな偉業となるだろう。11月16日以降、米国はASMLによるTwinScan NXT:2000iの中国への供給を阻止するための制裁措置を延長した。さらに、TwinScan NXT:1980Diデバイスも禁輸対象となっている。こうした状況下で中国がこれを克服できる唯一の方法は、独自のEUV装置を設計・製造することだ。中国は現在、独自のEUV装置を研究しているが、実現は2020年代末まで待たなければならないだろう。
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