Xリークの専門家Ice Universeが共有した情報によると、Galaxy S26 Ultraには、前世代よりも高速動作と低消費電力を実現する先進的なLPDDR5X RAMが搭載されるとのこと。具体的には、最大10.7Gbpsの速度を誇るLPDDR5X RAMが採用されるとのこと。
高度なRAMテクノロジーにより、Galaxy S26 Ultraは優れたパフォーマンスを実現
写真:サンモバイル
これは、チップメーカーMicronが6月に発表したLPDDR5X 1γ(1-gamma)の最高速度であり、前世代と比較して最大20%の電力効率向上を約束しています。具体的な最高速度とタイミングから、Galaxy S26 Ultraに搭載されるチップはこれであることが示唆されます。
Galaxy S26 Ultraの新しいRAMテクノロジーの利点
Galaxy S25 UltraのRAM速度はまだ公式発表されていないものの、Micron社は最大速度9.6GbpsのLPDDR5X 1β(1-beta)を採用していることを確認しています。これと比較すると、9.6Gbpsから10.7Gbpsへのアップグレードは帯域幅が11.5%増加したことを意味します。1γ設計と組み合わせることで、より高いパフォーマンスが期待されます。
パワーユーザーにとって、これは大きなニュースです。帯域幅の拡大は、スマートフォンのプロセッサがデータをより高速に転送できることを意味します。これにより、8K 動画の録画、高フレームレートゲーム、デバイス上で直接AI(人工知能)機能を実行するといった高負荷タスクに対応できます。パフォーマンスの向上は、これらのタスク中のバッテリー消費を抑えることにも役立ちます。特に、AIがSamsungのGalaxyエクスペリエンスにおいて大きな役割を果たしていく中で、その効果はさらに大きくなります。
Galaxy S26 Ultraには、RAMのアップグレードに加え、TSMC製のSnapdragon 8 Elite 2チップ、薄型筐体、薄型ベゼルを備えた大画面など、その他の改良点も搭載されると言われています。Samsungはこれらの情報を正式に認めていませんが、これらのリーク情報から、Galaxy S26 Ultraは多くの重要な構成アップグレードを備えたスマートフォンであることが示唆されています。
出典: https://thanhnien.vn/thong-tin-khien-galaxy-s26-ultra-la-lua-chon-dang-de-nang-cap-185250809165635632.htm
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